近年来,全球半导体产业格局正在经历深刻变革,中国在这一关键科技领域的自主化进程备受国际关注。摩根士丹利(大摩)作为全球领先的金融机构之一,持续跟踪并深入分析中国半导体产业链的国产化进程,其研究报告为外界提供了极具价值的视角。从政策支持、技术突破到资本投入与产业链整合,大摩认为,中国半导体的国产替代正从“被动追赶”逐步转向“系统性突围”。
首先,大摩指出,中国政府对半导体产业的战略重视程度达到前所未有的高度。自“十四五”规划明确提出加快集成电路产业自主创新以来,国家层面已推出多项扶持政策,包括税收优惠、专项基金支持以及人才引进机制。特别是“大基金”(国家集成电路产业投资基金)的持续注资,为设计、制造、封装测试及设备材料等环节的企业提供了强有力的资本支撑。大摩认为,这种“政府引导+市场驱动”的双轮模式,是中国半导体实现快速发展的核心动力。
在技术层面,大摩观察到,中国企业在多个关键领域取得了实质性进展。以芯片设计为例,华为海思虽受外部制裁影响,但在5G通信、AI和服务器芯片等领域仍保有较强技术储备。同时,寒武纪、地平线、黑芝麻智能等新兴企业迅速崛起,在人工智能芯片和自动驾驶芯片方面展现出竞争力。制造环节中,中芯国际(SMIC)已实现14纳米FinFET工艺的规模量产,并持续推进7纳米及以下节点的研发。尽管与台积电、三星尚有差距,但大摩认为,中国晶圆代工能力的提升速度超出预期,特别是在成熟制程(28纳米及以上)领域已具备较强的本土供应能力。
设备与材料是半导体产业链中最薄弱的环节,也是国产化难度最大的部分。大摩强调,过去三年,中国在光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备等关键设备上的自主研发取得突破。例如,上海微电子正在推进28纳米浸没式光刻机的验证工作;北方华创在刻蚀和PVD/CVD设备领域已进入中芯国际、华虹等主流产线。此外,安集科技、沪硅产业、南大光电等企业在抛光液、大硅片、光刻胶等材料方面也实现了从“零”到“一”的跨越。大摩预测,未来五年,中国半导体设备的本土化率有望从目前的不足20%提升至35%以上。
值得注意的是,大摩特别关注到中美科技竞争背景下,中国半导体产业的“去美化”进程正在加速。由于美国对先进制程设备和技术的出口管制不断加码,中国企业被迫加快构建独立于西方技术体系的供应链。这不仅推动了国内企业的自主创新,也催生了大量替代方案的研发。例如,华为通过堆叠封装技术(如Mate 60 Pro搭载的麒麟9000S芯片),在受限条件下实现了性能突破,显示出强大的系统级创新能力。大摩评价称,这种“非对称创新”可能成为中国半导体突围的重要路径。
然而,大摩也提醒,中国半导体国产化进程仍面临诸多挑战。首先是高端人才短缺问题,尤其是在EDA工具、先进制程工艺开发等领域,海外经验丰富的工程师仍是稀缺资源。其次,半导体研发周期长、投入大,短期内难以实现全面替代。特别是在EUV光刻机、高端模拟芯片、存储器等领域,技术壁垒极高,国产化仍需较长时间积累。此外,全球供应链的不确定性增加,也可能影响设备进口和原材料获取。
从投资角度看,大摩建议关注三条主线:一是具备核心技术壁垒的设计公司,如专注于AI、汽车电子和高性能计算的芯片企业;二是进入主流产线验证并实现批量供货的设备与材料厂商;三是具备先进封装能力和系统集成优势的封测企业。长期来看,随着国产替代从“可用”向“好用”演进,具备全产业链协同能力的企业将更具竞争优势。
总体而言,大摩认为,中国半导体的国产化进程虽面临外部压力与内部瓶颈,但在政策、资本、技术和市场需求的共同推动下,正步入一个结构性提速的新阶段。未来十年,中国有望在全球半导体版图中占据更加重要的位置,而这一过程不仅关乎技术自主,更将深刻影响全球科技竞争的走向。
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